壹号娱乐APP

基本情形

王鑫炜，，，男，，，1994年2月生，，，群众，，，讲师，，，工学博士，，，江西吉安人，，，现任壹号娱乐APP电子与信息工程学院专任西席。。

联系方式

? 地点：：广东省江门市蓬江区东成村22号 壹号娱乐APP 情形与化学工程学院

? 邮编：：529020

? 邮箱：：845471670@qq.com

? 电话：：13189433363

事情履历

? 2026年1月至今，，，壹号娱乐APP，，，电子与信息工程学院，，，硕士生导师

教育及学习履历

? 2021年8月-2025年12月，，，厦门大学电子科学与手艺学院，，，博士

? 2018年8月-2021年3月，，，天津工业大学电子与信息工程学院，，，硕士

? 2013年9月-2017年6月，，，沈阳工业大学电子与信息工程学院，，，学士

教学课程

机械学习

教学项目

无

主要研究偏向

新型半导体质料与器件的研究以及智能信息处理，，，主要包括第三代半导体碳化硅、氮化镓发光质料以及图像识别等等

科研项目

? 深圳市基础研究面上项目 沟槽型多Fin氧化镓肖特基势垒二极管研究，，，JCYJ20240813145617023, 加入，，，结题。。

? 国家自然科学基金项目（面上） 常关型氧化镓基异质结场效应晶体管研究，，，62171396，，，加入，，，结题。。

揭晓学术论文

? X. W. Wang?, Z. L. Sun , S. J. Lin, H. X. Bi, Z. Yang, S. B. Zhou, W. F. Yang.^* Facilitating flat-band voltage shifts of 4H-SiC MOS capacitors by HfO₂/SiO₂ laminated stacks with multiple interfacial dipole layers. Journal of Alloys and Compounds, 2026, 1062, 187557.

? X. W. Wang?, S. B. Wei, H. H. Ke, X. F. Ye, H. J. Weng, S. Y. Wong, W. F. Yang.^* Simultaneous Electric Dipoles and Flat-band Voltage Modulation in 4H-SiC MOS Capacitors through HfO₂/SiO₂ Interface Engineering. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 442, 136219.

? X. W. Wang?, H. X. Bi, S. B. Zhou, X. Y. He,  Z. Yang,  Y. Li, X. K. Peng, H. Long, W. F. Yang.^* High-Speed and Responsivity 4H-SiC MISIM Ultraviolet Photodetector With Si_xN_1-x Interlayer by Atomic Nitrogen Treatment. IEEE SENSORS JOURNAL, 2026, 26, 1923-1930.

? H. W. Liu,* X. W. Wang?, P. J. Niu, P. Shields, Z. Y. Zhang, X. Y. Li, C. Liu, D. X. Wang, Intrinsic Layer Zn doping Diffusion in InP/InGaAs/InP PIN Photodiode. IEEE Photonics Technology Letters, 2021, 33, 503-506.

? H. H. Ke, X. F. Ye, X. W. Wang?, Y. C. Sun, R. D. Hong, W. F. Yang.^* High-Performance 8x8 4H-SiC-Based MISIM Photodetector Arrays for UV Imaging. IEEE Photonics Technology Letters, 2024, 33, 239-242.

? X. Y. Ye, H. H. Ke, S. B. Wei, H. J. Weng, X. W. Wang?, S. Y.g Wong, W. F. Yang.^* A trench beside field limiting rings terminal for improved 4H-SiC junction barrier Schottky diodes: Proposal and investigation. Microelectronics Reliability, 2024, 160, 115459.

? 王鑫炜?，，，刘雄伟*，，，  高克，，，  张赞允，，，  李晓云，，，  宁通俗，，，  王笃祥，，，  牛萍娟. Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真剖析[J]. 发光学报, 2021, 42, 111-117.

申请及授权专利

? 刘雄伟  王鑫炜 高克 牛萍娟 张赞允 王迪；；；电注入三维GaN核壳结构Nano-LED及制作要领；；；中国专利，，，授权号：：CN110993755B.

? 杨伟锋 王鑫炜 冶晓峰 龙明滔；；；一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造要领；；；中国专利，，，授权号：：CN116314259B.

? 杨伟锋 王鑫炜 冶晓峰 龙明滔；；；一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造要领；；；中国专利，，，授权号：：CN116072707B.

获奖及声誉

? 《防诈骗平台》商业妄想书专项赛预赛团队二等奖

? 《基于45nm CMOS 工艺高效能功率放大器的研究与设计》华北分赛区团队二等奖

? 《IEEE杯-面向4G/5G通讯的高能效CMOS功率放大器设计》天下大学生集成电路立异创业大赛中荣获华北分赛区三等奖

? 《适岗培训平台》商业妄想书专项赛预赛团队二等奖